超短沟道的垂直场效应晶体管

众所周知，在集成电路领域当中存在这样一个定律：集成电路芯片上所集成的电子器件的数目，每隔18-24个月就翻一倍；微处理器的性能提高一倍，或价格下降一半。但随着器件小至纳米尺度，晶体管逐渐出现迁移率下降，漏电流增大，功耗增加等问题，使得传统平行晶体管的微缩方法逼近物理极限。

近期我了解到，湖南大学物电院刘渊教授团队通过范德华金属集成的方法，实现了超短沟道的垂直场效应晶体管，为半导体性能提升提供了新思路。

与传统技术形成的金属-半导体界面相比，该理想界面原子级别平整，减小了隧穿电流，同时性能大大提高。范德华点击继承对垂直器件微缩具有普遍性，为提升芯片性能提供了一种全新的低能耗解决方案。真的是太棒了！这说明技术是不断进步的，随着不断地探索，人类总能解决面临的难题。西大的学子们共同努力，未来某一天也会有傲人的成绩的！